活性炭吸附設(shè)備原理

    活性炭是一種很細(xì)小的炭粒 有很大的表面積，而且炭粒中還有更細(xì)小的孔——毛細(xì)管。這種毛細(xì)管具有很強(qiáng)的吸附能力，由于炭粒的表面積很大，所以能與氣體（雜質(zhì)）充分接觸。當(dāng)這些氣體（雜質(zhì)）碰到毛細(xì)管被吸附，起凈化作用。活性炭吸附處理效率高，適用廣泛，操作簡(jiǎn)單，投資費(fèi)用低。系統(tǒng)風(fēng)壓損失大，使得能耗較高，吸附劑的飽和點(diǎn)難掌握，吸附劑容量有限，運(yùn)行費(fèi)用包括固廢回收成本較高。對(duì)于漆霧處理，活性炭易堵塞，整體利用率不高。

光催化設(shè)備原理

光催化是在一定波長(zhǎng)光照條件下,半導(dǎo)體材料發(fā)生光生載流子的分離,然后光生電子和空穴再與離子或分子結(jié)合生成具有氧化性或還原性的活性自由基,這種活性自由基能將有機(jī)物大分子降解為二氧化碳或其他小分子有機(jī)物以及水,在反應(yīng)過(guò)程中這種半導(dǎo)體材料也就是光催化劑本身不發(fā)生變化。

 半導(dǎo)體光催化劑大多是n型半導(dǎo)體材料（當(dāng)前以為T(mén)iO2使用廣泛）都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結(jié)構(gòu),即在價(jià)帶(ValenceBand,VB)和導(dǎo)帶(ConductionBand,CB)之間存在一個(gè)禁帶(ForbiddenBand,BandGap)。由于半導(dǎo)體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導(dǎo)體的吸收波長(zhǎng)閾值大都在紫外區(qū)域。當(dāng)光子能量高于半導(dǎo)體吸收閾值的光照射半導(dǎo)體時(shí),半導(dǎo)體的價(jià)帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時(shí)吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負(fù)離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成羥基自由基。而超氧負(fù)離子和羥基自由基具有很強(qiáng)的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機(jī)物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對(duì)一些無(wú)機(jī)物也能徹底分解。

針對(duì)有機(jī)溶劑揮發(fā)產(chǎn)生的有機(jī)氣體凈化效率高，維護(hù)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)，設(shè)備安全可靠，不會(huì)如低溫等離子設(shè)備產(chǎn)生電火花引起安全事故。